海明微半导体：TSC263-4L 顶部散热封装、内绝缘与0V关断，功率器件的三重解法！

海明微半导体重磅推出HC036N065Q2X、HC060N065Q2P、HC100N075J2Y 三款免外置绝缘SiC MOSFET，依托TO220IS‑3L内置绝缘、TO220F-3L全塑封两大成熟封装架构，无需额外加装绝缘垫片，完美融合SiC器件高效率、装配极简、散热优异、高可靠性等核心优势，为国产中高压功率变换设备提供高性价比、易量产的优选解决方案。

海明微TSC263-4L顶部散热263封装，打造TO263生态轻量化升级方案!~

安徽海明微半导体独创TSC263-4L封装SiC MOS：无开尔文脚的务实之选，为客户设计减负增效

海明微半导体创新推出TSC263-4L顶部散热封装系列，以“短路径高效散热+贴片式自动化兼容+系统级散热优化”为核心优势，可直接替换同规格TO247、TO220插件，降规格替换TO263封装，同时能实现整流、PFC、逆变电路、变压器顶部共用一片散热器，核心IGBT型号内置ESD防护，为白色家电、工业控制、新能源、车载电源等领域提供颠覆性解决方案，助力客户实现性能与生产效率的双重升级。

海明微半导体SiC IPM——6HP30N120A9C与其他 1200V SiC 器件应用核心对比

相较于传统TO247-4L封装，安徽海明微半导体TO247-4L HC高爬电SiC MOS在SST固态变压器中的优势十分突出，精准匹配SST的设计目标与应用场景，每一项优势都直击行业痛点，为SST升级强势赋能。

在电力电子技术飞速迭代的今天，PD快充、TV电源、LED电源、适配器等领域的升级需求日益迫切，传统Si MOS、GaN MOS器件在效率、散热、兼容性等方面的痛点逐渐凸显，成为制约产品性能突破的关键瓶颈。此刻，海明微半导体顺势而为，重磅推出全系列700V高内阻碳化硅（SiC）MOSFET，以多元规格、创新封装与卓越性能，为行业提供高效替代方案，助力电源产品实现质的飞跃。

海明微半导体推出的6HPxxN120A9C智能功率模块，以其紧凑的DIP 36x23D封装和卓越的碳化硅技术，为工业电机驱动、 HVAC（暖通空调）、车载空调系统等领域带来了突破性的解决方案。

在追求极致效率与紧凑尺寸的今天，电源工程师们是否正面临这样的困境：功率提升，散热难题却如影随形；空间紧缩，性能瓶颈却难以突破？传统的散热方案已触及天花板，是时候拥抱变革了！