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技术干货 | SIC 二极管替换FRD电流值选取规则

SIC二极管替换FRD电流值选取规则
技术干货 | 氮化镓IPM的器件优势

氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）和硅（Si）基智能功率模块（IPM）代表了功率电子技术发展的三个阶梯。简单来说，氮化镓IPM的优势是其固有的高频、高开关速度特性带来的，最终体现为系统级的极致高频化、高效率和微型化。
技术干货 | 双脉冲测试的原理和方法

双脉冲测试（DPT）是用于评估 IGBT / MOSFET 等功率器件在开关过程中动态特性的一种标准测试方法，尤其在逆变器、电源变换器等应用中极为关键。
技术干货 | 碳化硅mos的体区和漂移区

在碳化硅(SiC)MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)中，漂移区和体区是两个非常关键的器件结构区域，它们在器件的电学性能、耐压能力、导通电阻以及开关特性等方面起着重要作用。下面分别介绍它们的作用。
技术干货 | MOSFET和IGBT的区别

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是两种广泛应用的功率半导体器件，它们在结构、工作原理、性能特点及应用场景上存在显著差异。
技术干货 | 碳化硅MOS开尔文脚的作用

在碳化硅（SiC）MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）中，开尔文脚（Kelvin Source 或 Kelvin Connection）是一个非常重要的设计特性，主要用于提高器件的开关性能和驱动精度。

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