6HP40N120A9Y（工业级） / 6HPQ40N120A9Y（车规级） 把 20kW 级三相逆变功率，装进 36 × 23mm 的全隔离封装里

SIC二极管替换FRD电流值选取规则

氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）和硅（Si）基智能功率模块（IPM）代表了功率电子技术发展的三个阶梯。简单来说，氮化镓IPM的优势是其固有的高频、高开关速度特性带来的，最终体现为系统级的极致高频化、高效率和微型化。

双脉冲测试（DPT）是用于评估 IGBT / MOSFET 等功率器件在开关过程中动态特性的一种标准测试方法，尤其在逆变器、电源变换器等应用中极为关键。

在碳化硅(SiC)MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)中，漂移区和体区是两个非常关键的器件结构区域，它们在器件的电学性能、耐压能力、导通电阻以及开关特性等方面起着重要作用。下面分别介绍它们的作用。

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是两种广泛应用的功率半导体器件，它们在结构、工作原理、性能特点及应用场景上存在显著差异。

在碳化硅（SiC）MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）中，开尔文脚（Kelvin Source 或 Kelvin Connection） 是一个非常重要的设计特性，主要用于提高器件的开关性能和驱动精度。