免外置绝缘垫片！海明微SiC MOSFET，重构电源功率器件设计体验

在开关电源、新能源充电桩、工业变频设备、高压变换电源的研发与量产过程中，传统TO‑220外露式碳化硅MOSFET，必须搭配云母、硅胶绝缘垫片及绝缘粒实现电气隔离。

这种方案不仅增加BOM物料成本与装配工序，还极易出现垫片偏移碎裂、贴合间隙不均、系统热阻升高、耐压不良等批量性质量问题，严重影响产品稳定性与生产直通率。

其中，HC036N065Q2X、HC060N065Q2P采用TO220IS-3L内置电气隔离封装，绝缘结构一体化集成于器件内部，出厂即满足高压绝缘标准；HC100N075J2Y采用TO220F-3L全封闭塑封封装，散热背板完全被塑封材料包裹，无金属外露。三款器件装配散热器时，均可彻底省去云母、硅胶等外置绝缘垫片及配套绝缘配件，从结构上规避传统封装的各类弊端。

✅ 极简装配工艺，降本增效适配量产

彻底省去绝缘垫片、绝缘粒的采购、仓储、管控成本，精简多道人工装配工序，无需手动对位、贴合绝缘配件，从源头杜绝垫片漏装、偏移、碎裂、挤压变形等生产不良问题，大幅提升产线装配效率与产品一致性，高度适配规模化批量生产需求。

✅ 根除绝缘隐患，提升整机长期可靠性

传统外置绝缘垫片长期处于高温、高频工作环境，易出现老化开裂、积碳爬电、绝缘失效等问题，同时垫片与器件、散热器之间的空气间隙会持续恶化散热性能。海明微三款器件采用原厂一体化绝缘设计，绝缘性能稳定可控，规避外置配件带来的可靠性薄弱点，大幅提升设备高低温循环、长期满负载运行的安全裕量。

传统功率器件依靠外置垫片绝缘的方案，会引入不可控的接触热阻，导致系统整体热阻大幅攀升，器件结温偏高，直接限制设备额定输出功率与高频工作性能。海明微三款免垫片SiC MOSFET，从结构上消除附加热阻，热量传导路径直接、顺畅，充分释放碳化硅器件的散热与性能优势。

• 两款TO220IS-3L内绝缘器件散热表现优异：HC036N065Q2X结‑壳热阻仅1.58℃/W，HC060N065Q2P结‑壳热阻低至1.54℃/W，内置绝缘层兼顾高压绝缘能力与高效导热特性，对比传统TO220器件+外置垫片方案，温升更低、散热更均衡，高频满载工况下性能更稳定。

三款产品均为国产自研N沟道SiC MOSFET，传承碳化硅器件核心优势：寄生电容低、高频开关速度快、反向恢复电荷Qrr极小、反向恢复特性优异，有效降低高频开关损耗与导通损耗。同时器件驱动逻辑简单、支持多管并联扩容，内置雪崩耐受结构，抗浪涌、抗尖峰能力突出，且全系无卤生产，完全符合RoHS环保规范，适配各类工业、新能源高端设备设计标准。

HC100N075J2Y 核心工艺与性能亮点：

器件采用海明微先进沟槽型SiC工艺，实现行业优选的0V可靠关断、15V完全饱和开通，无需额外设计负压关断电路，大幅简化外围驱动电路架构、精简元器件数量、降低PCB布局压力与研发成本。

其97mΩ典型导通电阻，为VGS=15V标准驱动电压下实测参数，导通损耗极低。同时该器件具备同级优异的短路耐受能力，在400V母线电压、15V驱动、5μs短路耐受时间标准工况下，可稳定抵御高压短路冲击，为系统保护电路预留充足响应时间，从核心层面提升设备运行安全性。

搭配低寄生电容、极速开关特性与出色雪崩鲁棒性，是中高压工况下高稳定、高容错的优选国产SiC器件。

超低导通电阻、大电流能力突出，峰值电流可达121A，栅极支持-4~18V宽范围驱动，适配高频大电流工况。核心应用于车载充电机OBC、新能源高压变换设备、高压DC‑DC变换器、大功率开关电源，可有效降低设备导通损耗，提升高频工作能效。

开关参数完备，具备71mJ单脉冲雪崩能量，抗浪涌、抗电压尖峰性能优异，工况适配性极强。主打工业电源、商业照明电源、高压DC‑DC变换器、开关模式电源SMPS，为各类工业供电设备提供充足的安全工作裕量。

依托750V超高耐压平台、先进沟槽工艺、优异短路耐受特性与免绝缘全塑封设计，集极简驱动、低损耗、高容错、易量产多重优势于一体，精准适配各类中高压中小功率功率变换场景，具体应用如下：

1、新能源充电桩设备：

广泛应用于家用交流充电桩、小型商用直流充电桩的PFC功率校正电路、后级DC-DC变换单元。750V高耐压提供充足电压冗余，可有效抵御电网波动、雷击浪涌与负载突变产生的电压尖峰；400V母线工况下5μs的短路耐受能力，大幅提升设备故障容错性，搭配免垫片极简装配工艺，完美适配充电桩大批量量产需求，同时低损耗特性有效提升整机转换效率。

2、工业高压开关电源与通信电源：

适配工业高压开关电源、工控设备专用电源、通信基站电源等设备。凭借0V关断、15V完全开通的极简驱动特性，无需负压驱动电路，大幅简化电源架构与PCB设计难度。搭配-55℃~+175℃超宽温工作区间，可长期稳定运行于车间高温、设备密闭散热差等恶劣工况，可靠性拉满。

3、工业电机驱动系统：

适用于中小型变频器、伺服电机驱动器、通用工业电机调速设备。优异的雪崩耐受性能，可快速吸收电机频繁启停、负载冲击产生的瞬时高压能量，抑制电压尖峰；支持多管并联拓展功率等级，可适配多款功率规格的电机驱动方案，有效降低设备故障、烧毁风险，提升工控系统稳定性。

4、高压DC-DC变换设备：

适配储能模块高压变换、工业高压稳压设备、车载高压转换单元等高频高压场景。依托SiC器件低寄生电容、低反向恢复电荷的原生优势，大幅降低高频开关损耗，配合出色的短路耐受与高温耐受能力，保障设备长期高效、稳定运行，有效延长设备使用寿命。

安徽海明微半导体全自主研发、生产、管控三款SiC MOSFET产品，全系采用标准化TO-220系列引脚定义，兼容通用PCB板位，无需改板即可完成国产替代导入，适配快速落地量产。产品统一采用管装供货，品控严格、性能稳定，可为客户提供一站式器件选型、技术适配与量产支持服务。

外置绝缘垫片一直是功率设备设计与量产的核心痛点，而海明微三款免垫片SiC MOSFET，从封装结构源头彻底解决绝缘、散热、量产之间的矛盾。

尤其是HC100N075J2Y凭借先进沟槽工艺实现极简驱动、高短路容错、高压低损耗的性能突破，填补了中小功率中高压场景的国产优质选型空白。

全系列产品兼顾碳化硅高效节能优势、极简装配工艺与工业级高可靠性，全面覆盖新能源、工业工控、高压变换等主流场景，是功率器件国产化替代的优质解决方案。

海明微半导体专注于高可靠性功率器件研发与生产。核心团队拥有20余年经验，研发出多款高性能产品，广泛应用于新能源汽车、光伏储能、伺服驱动、变频器、人形机器人、白色家电、电焊机等领域。公司秉持质量至上理念，建立完善质量管理体系，确保产品卓越性能。未来将持续创新，拓展产品线，优化服务，推动行业发展。