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技术干货 | 碳化硅MOS栅极氧化原因和防范优化

碳化硅（SiC）MOSFET的栅极氧化问题是一个关键的技术挑战，主要源于SiC与二氧化硅（SiO₂）界面特性的差异。
技术干货 | 双脉冲测试的原理和方法

双脉冲测试（DPT）是用于评估 IGBT / MOSFET 等功率器件在开关过程中动态特性的一种标准测试方法，尤其在逆变器、电源变换器等应用中极为关键。
技术干货 | IGBT动/静态测试目的与测试项目

为了确保 IGBT 模块在实际应用中的可靠性、稳定性与性能，必须对其进行静态测试和动态测试。
技术干货 | 碳化硅mos的体区和漂移区

在碳化硅(SiC)MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)中，漂移区和体区是两个非常关键的器件结构区域，它们在器件的电学性能、耐压能力、导通电阻以及开关特性等方面起着重要作用。下面分别介绍它们的作用。
技术干货 | MOSFET和IGBT的区别

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是两种广泛应用的功率半导体器件，它们在结构、工作原理、性能特点及应用场景上存在显著差异。
纪念抗日战争胜利80周年丨铭记历史吾辈自强！

传承抗战精神, 海明微半导体纪念抗战胜利80周年！
技术干货 | 碳化硅MOS开尔文脚的作用

在碳化硅（SiC）MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）中，开尔文脚（Kelvin Source 或 Kelvin Connection）是一个非常重要的设计特性，主要用于提高器件的开关性能和驱动精度。
破茧成'芯' 聚势皖南｜海明微半导体全球先进制程工厂开业盛典圆满礼成

2025年8月21日，安徽池州经济开发区芯光璀璨——海明微半导体池州工厂盛大开业。