海明微半导体创新推出TSC263-4L顶部散热封装系列，以“短路径高效散热+贴片式自动化兼容+系统级散热优化”为核心优势，可直接替换同规格TO247、TO220插件，降规格替换TO263封装，同时能实现整流、PFC、逆变电路、变压器顶部共用一片散热器，核心IGBT型号内置ESD防护，为白色家电、工业控制、新能源、车载电源等领域提供颠覆性解决方案，助力客户实现性能与生产效率的双重升级。

海明微半导体SiC IPM——6HP30N120A9C与其他 1200V SiC 器件应用核心对比

相较于传统TO247-4L封装，安徽海明微半导体TO247-4L HC高爬电SiC MOS在SST固态变压器中的优势十分突出，精准匹配SST的设计目标与应用场景，每一项优势都直击行业痛点，为SST升级强势赋能。

国际劳动妇女节，海明微半导体向每一位女性致敬。

在电力电子技术飞速迭代的今天，PD快充、TV电源、LED电源、适配器等领域的升级需求日益迫切，传统Si MOS、GaN MOS器件在效率、散热、兼容性等方面的痛点逐渐凸显，成为制约产品性能突破的关键瓶颈。此刻，海明微半导体顺势而为，重磅推出全系列700V高内阻碳化硅（SiC）MOSFET，以多元规格、创新封装与卓越性能，为行业提供高效替代方案，助力电源产品实现质的飞跃。

海明微半导体祝您元宵节快乐

2026年2月27日，海明微半导体圆满举办企业年会。

海明微半导体于正月初八正式开工

海明微半导体祝您新年快乐！

2026年1月9日，中国半导体行业协会/安徽省半导体行业协会一行领导莅临我司参观指导。

海明微半导体推出的6HPxxN120A9C智能功率模块，以其紧凑的DIP 36x23D封装和卓越的碳化硅技术，为工业电机驱动、 HVAC（暖通空调）、车载空调系统等领域带来了突破性的解决方案。

池商池才创新创业大赛暨池州籍农民工创新创业大赛：海明微荣获二等奖！

海明微半导体祝您元旦快乐！

祝大家圣诞节快乐！

在追求极致效率与紧凑尺寸的今天，电源工程师们是否正面临这样的困境：功率提升，散热难题却如影随形；空间紧缩，性能瓶颈却难以突破？传统的散热方案已触及天花板，是时候拥抱变革了！

SIC二极管替换FRD电流值选取规则

海明微半导体与金蝶软件的ERP系统建设项目启动会于2025年11月17日14时30分举行。这标志着海明微半导体将加速数字化进程，构建高效智能的运营管理平台，开启信息化管理的新阶段。

氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）和硅（Si）基智能功率模块（IPM）代表了功率电子技术发展的三个阶梯。简单来说，氮化镓IPM的优势是其固有的高频、高开关速度特性带来的，最终体现为系统级的极致高频化、高效率和微型化。

安徽海明微半导体有限公司宣布，其位于深圳龙岗区志达工业园的功率半导体器件研发实验室，将于2025年10月16日正式启用。

月满情浓，共贺华诞。值此中秋国庆双节同庆之际，海明微半导体向全体员工及合作伙伴致以诚挚的问候！